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第321章 瞬间热情高涨的研究员们[2 / 4]

元件,但这还远远不是极致。”

这时林女士又高举右手:“您带过来的资料上提到,可以在指甲盖那么大的硅晶圆上,蚀刻多层电路,形成超大规模集成电路。

到时候掌心那么大的一个核心处理器,每秒运算次数能到上百亿次!

单晶硅的生长,我们也在研究了,昨天刚完成一次试制,直径20毫米呢!”

“厉害,继续加油,早日突破五十毫米,争取让我们的硅晶棒越来越粗,越来越长!”

“嗯!”

林女士握起小拳头给自己打气。

其他研究员则是面面相觑,心说这话听着怎么这么别扭?

这时林女士又说道:“但是后续关于光刻技术的资料就没了,计算机所这边也没有。”

王嘉恩笑着摇了摇头:“给了也没用,那个太难了。

单是硅晶圆,很难了吧,但它还只是开始。

后续在硅晶圆上刻出电路,才是最大的挑战。

一块微型芯片的生产,后续还涉及光刻、蚀刻、离子注入、薄膜沉积、机械抛光。

每一道工序,都需要极高的精度。

这样的一整套流程需要重复几十上百次,也就是在单块芯片上蚀刻几十层电路,错一次,芯片的性能就会大幅下降,甚至于报废。

最难的就属光刻,先要根据芯片的用途设计电路,按照设计好的电路刻出微米级甚至更高精度的掩模基板...”

王嘉恩说着咂吧了一下嘴,左右看看,从欧立新的公文包里摸出一个保温杯。

喝了一口后,接着说道:“有了掩模基板,然后再用光刻机,将光源通过掩模基板投影到晶圆上。

而光刻机的生产,那就更难了,首先我们需要得到波长13.5纳米的极紫外光源。

极紫外光源又因为波长短,容易被其他物质吸收,无法像可见光或者深紫外光那样通过透镜来聚焦,所以还需要通过多层反射镜来聚焦。

这个反射镜又得用纳米级的钼、硅交替堆叠几十层!

解决了反射镜,后面还需要高度精密的机械控制系统,来控制掩模台和晶圆台,这也是纳米级的精度!

之后,还有生产环境。

光刻机内需要超高度的真空,同时因为极紫外光,我们那儿用的是高功率二氧化碳激光轰击锡滴,但是锡滴的残留物会污染反射镜,所以就需要开发实施清理技术。

蚀刻完了之后,还需要注入离子,改变半导体的导电特性,之后还要用气相沉积法,在硅晶圆上沉积铜膜,然后才是纳

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