粗细的管道里，钻出60倍深度的孔，还要保证孔壁光滑、
垂直、不塌陷。」
「晶圆边缘的良率，已经低到不能看。」
李道鸣继续说道。
他顿了顿，轻笑一声：「这就是2018年存储行业的真相。」
「不是不想进步，而是物理学按住了我们的脖子。」
「所以，老板又问了我第二个问题。」
李道鸣话锋一转，眼神也亮了起来。
「如果不存储电荷，我们还能存储什么？」
「答案是，存储原子的状态！」
说完，他往前迈了一步，掷地有声地说道：「我们放弃了半导体行业坚持五十年的电荷存储方案，转向阻变存储，也就是ReRAM技术方案。」
「原理其实很简单，在两层金属电极之间，夹一层只有几纳米厚的金属氧化物。」
「施加电压，氧原子会移动，形成导电的丝状通道，电阻变低，这是1。」
「施加反向电压，通道断裂，电阻变高，这就是0。」
「不需要电容，不需要刷新，断电之后，数据也不会丢失。」
台下传来一阵惊叹声。
吴欣鸿低声对雷逸军说道：「这好像不是新技术啊！ReRAM几年前就有人研究了，小日子在这上面可没少花心思。」
雷逸军嗯了一声，小声回道：「问题是一直没人能量产，良率和一致性都是灾难。」
首先，ReRAM器件间和循环间的电阻状态并不稳定，容易导致写入噪声、位错误和高缺陷率。
这在大规模阵列生产中非常致命，很难保证高良率。
其次，耐久性和数据保持稳定性也较差。
说白了，就是不耐用。
最后，它的物理机制复杂，依赖导电细丝，不易精确控制，极易受到工艺、材料和噪声的影响。
除此之外，控制器、固件、接口和软体优化等，也都需要重新开发和验证。
而现有DRAM、NAND生态已经极为完善，替换成本极高。
这也是ReRAM长期无人问津的主要原因。
仿佛听到了台下众人心里的疑问，李道鸣接著说道：「但ReRAM也有一个致命问题，那就是交叉阵列的漏电流。」
大屏幕上出现了一个交叉阵列示意图。
密密麻麻的横竖线交织在一起，某些节点被标成了红色。
「当你要读取某个存储单元时，电流并不会乖乖只走你选中的那条路。」
「它会从其他路径偷
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